Fujitsu dezvolta memoria ReRam

Fujitsu Laboratories a anuntat o noua descoperire pentru tehnologia “resistive RAM” ce elimina dificultile din procesul de fabicatie si reduce consumul de energie pentru operatiuni de scriere/stergere la mai putin de 100 microamperi pentru un timp de acces de 5 nanosecunde.
ReRam este un tip de memorie non-volatila, bazata pe un material ce isi modifica rezistivitatea atunci când este aplicata o sarcina electrica.
Acest nou tip de memorie foloseste un proces de fabricatie cu un cost foarte redus iar procesul tehnologic folosit permite o miniaturizare foarte buna, fapt ce o transforma intr-o tehnologie foarte atractiva.

Cercetatorii de la Fujitsu au implementat un proces ce foloseste titan si oxid de nichel impreuna cu optimizari la nivelul tranzistorilor, pentru a obtine timpi de acces foarte redusi si un consum redus de energie.
Inlaturarea acestor limitari ce au caracterizat pâna acum memoria ReRam fac din aceasta un competitor serios pentru memoria flash conventionala.

Via:  xtremepc.ro